FGL60N100BNTD 是一款由 Fairchild(現� ON Semiconductor)生產的 N 沁高� MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝形式,適用于高電�、高功率的應用場�,例如開關電源、電機驅動和逆變器等。它具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特點,能夠在高頻條件下保持高效性能�
這款 MOSFET 的設計注重提高效率和減少損�,同時提供良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�60A
導通電阻:0.95Ω
柵極電荷�160nC
輸入電容�3300pF
反向恢復時間�85ns
工作結溫范圍�-55� � +150�
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓達 1000V,適用于高電壓應用場��
2. 大電流承載能力:可支持高� 60A 的連續(xù)漏極電流,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運��
3. 快速開關特性:低柵極電荷和短反向恢復時間使其適合高頻開關應��
4. 低導通電阻:導通電阻僅� 0.95Ω,在大電流應用中降低功��
5. �(wěn)定性:工作溫度范圍�,從 -55� � +150�,適應各種環(huán)境條件�
6. 高效散熱:TO-247 封裝提供了良好的熱性能,便于熱量散�(fā)�
7. 可靠性:經過嚴格的測�,具備高可靠性和長壽��
1. 開關電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機驅動
3. 逆變�
4. UPS 不間斷電�
5. 太陽能逆變�
6. 高頻 DC-DC 轉換�
7. 電動車輛的電力系�(tǒng)
8. 高壓工業(yè)設備控制
FGH60N100BNTD
IRFP260N
STGW60HC10MD
FDP18N100
IXYS IXTH60N100T2