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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 15:28:00 查看 閱讀�27

FGL60N100BNTD 是一款由 Fairchild(現� ON Semiconductor)生產的 N 沁高� MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝形式,適用于高電�、高功率的應用場�,例如開關電源、電機驅動和逆變器等。它具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特點,能夠在高頻條件下保持高效性能�
  這款 MOSFET 的設計注重提高效率和減少損�,同時提供良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��

參數

最大漏源電壓:1000V
  連續(xù)漏極電流�60A
  導通電阻:0.95Ω
  柵極電荷�160nC
  輸入電容�3300pF
  反向恢復時間�85ns
  工作結溫范圍�-55� � +150�

特�

1. 高耐壓能力:最大漏源電壓達 1000V,適用于高電壓應用場��
  2. 大電流承載能力:可支持高� 60A 的連續(xù)漏極電流,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運��
  3. 快速開關特性:低柵極電荷和短反向恢復時間使其適合高頻開關應��
  4. 低導通電阻:導通電阻僅� 0.95Ω,在大電流應用中降低功��
  5. �(wěn)定性:工作溫度范圍�,從 -55� � +150�,適應各種環(huán)境條件�
  6. 高效散熱:TO-247 封裝提供了良好的熱性能,便于熱量散�(fā)�
  7. 可靠性:經過嚴格的測�,具備高可靠性和長壽��

應用

1. 開關電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機驅動
  3. 逆變�
  4. UPS 不間斷電�
  5. 太陽能逆變�
  6. 高頻 DC-DC 轉換�
  7. 電動車輛的電力系�(tǒng)
  8. 高壓工業(yè)設備控制

替代型號

FGH60N100BNTD
  IRFP260N
  STGW60HC10MD
  FDP18N100
  IXYS IXTH60N100T2

fgl60n100bntd推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
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fgl60n100bntd資料 更多>

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fgl60n100bntd參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝25
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT 和溝�
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1000V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.9V @ 15V�60A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最�180W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應商設備封�TO-264
  • 包裝管件
  • 其它名稱FGL60N100BNTD-NDFGL60N100BNTDFS