国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGL60N100DTU

FGL60N100DTU 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:14:05 查看 閱讀�197

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-264
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1000 V
集電極—射極擊穿電�: 1000 V
集電極—射極飽和電�: 1.6 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 60 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 500 nA
功率耗散: 176 W
封裝: Tube

fgl60n100dtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fgl60n100dtu參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝375
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型溝道
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1000V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.9V @ 15V�60A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最�176W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-264
  • 包裝管件