FGY75T95LQDT是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用先進的制造工藝設計,適用于多種高頻和高效率的應用場景。該器件具有低導通電阻、快速開關特性和高耐壓能力,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電力電子領域。其封裝形式為TO-263,能夠有效降低熱阻并提升散熱性能。
最大漏源電壓:95V
連續(xù)漏極電流:75A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:105nC
總電容:1200pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
FGY75T95LQDT具備非常低的導通電阻(Rds(on)),這使得它在高電流應用中能顯著減少傳導損耗。
同時,其快速開關能力確保了在高頻條件下也能保持高效運行,減少了開關損耗。
此外,器件內(nèi)置ESD保護電路以提高可靠性,并且采用了優(yōu)化的熱設計來增強散熱性能。
該器件還支持較寬的工作溫度范圍,使其能夠在惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運行。
FGY75T95LQDT主要應用于各種高功率場景,例如工業(yè)電機控制、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及電動車驅(qū)動系統(tǒng)。
此外,它也適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換的DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC開關電源設計。
由于其出色的熱性能和電氣性能,該器件還可用于高溫環(huán)境下的功率調(diào)節(jié)模塊。
FGY80T100LQDT, IRF740, STP75NF06