FH20X103K302EGG 是一款由富士通(Fujitsu)生�(chǎn)的鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),即非易失性存�(chǔ)器的一種。該芯片�(jié)合了傳統(tǒng) RAM 的高速讀寫性能和閃存的非易失性特性,能夠在斷電后保存�(shù)�(jù)�
FeRAM 技�(shù)使用鐵電材料作為電容器的介質(zhì)�,從而實(shí)�(xiàn)低功�、高速度和高耐久性的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能。FH20X103K302EGG 通常被應(yīng)用于需要頻繁數(shù)�(jù)寫入且對(duì)�(shù)�(jù)保留有較高要求的�(chǎng)��
容量�256Kb (32K x 8)
接口類型:SPI
工作電壓�1.7V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:WLCSP (晶圓�(jí)芯片尺寸封裝)
引腳�(shù)�
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:超過(guò)10�
擦寫周期:超�(guò)10^12 �
FH20X103K302EGG 具備以下主要特性:
1. 非易失性:即使在斷電情況下也能保持?jǐn)?shù)�(jù)完整�
2. 超低功耗:相較� EEPROM 和閃�,其寫入操作所需的能量顯著減��
3. 高速讀寫:支持高達(dá) 20MHz � SPI 接口�(shí)鐘頻率,�??焖�?shù)�(jù)傳輸�
4. 極高的耐用性:可承受超�(guò)一�(wàn)億次的擦寫周�,非常適合頻繁數(shù)�(jù)更新的應(yīng)用場(chǎng)景�
5. 小型化封裝:采用 WLCSP 封裝技�(shù),適合空間受限的�(shè)�(jì)需求�
6. 寬工作電壓范圍:支持� 1.7V � 3.6V 的寬電壓范圍,提升了�(yīng)用靈活��
7. �(huán)保材料:符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),不含鉛等有害物�(zhì)�
FH20X103K302EGG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄與配置存�(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵參�(shù)的實(shí)�(shí)保存�
3. 物聯(lián)�(wǎng)終端的數(shù)�(jù)緩存與日志記��
4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品的固件升級(jí)與用戶偏好設(shè)置存�(chǔ)�
5. �(jì)�?jī)x表中用于累積�(shù)�(jù)的持久存�(chǔ)�
6. 汽車電子系統(tǒng)中傳感器�(shù)�(jù)的臨�(shí)或永久保��
MB85RS2MT-SQE, FM25L16B-BNE, CAT24C02-GJ