FH20X563K302EHG 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�。該器件適用于高效率、高頻率的開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用場�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,有助于提高電路板的集成度和可靠��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�80nC
開關(guān)速度�100kHz~1MHz
�(jié)溫范圍:-55℃~175�
封裝形式:TO-247
FH20X563K302EHG 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻工作�(huán)境,減少磁性元件的體積和成��
3. 高雪崩耐量能力,增強在異常條件下的保護(hù)性能�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合長時間連續(xù)運行�
5. 封裝�(shè)計優(yōu)化散熱性能,便于安裝與維護(hù)�
該型號廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或升壓開�(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率輸出級�
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率管理模塊�
5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切換功��
IRFP460, FDP18N65C3, STW93N65M2