FHP10N65是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。它主要用于需要高電壓、高效率和快速開關的電力電子應用中。這款器件采用了先進的制造工藝,能夠提供較低的導通電阻和良好的開關性能。
該器件適用于工業(yè)控制、電機驅動、開關電源(SMPS)、逆變器以及其他高壓電力轉換應用。其額定電壓為650V,能夠承受較高的漏源極電壓,并具備出色的耐用性和可靠性。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:10A
導通電阻(典型值):2.4Ω
柵極閾值電壓:3V~5V
輸入電容:1000pF
功耗:10W
工作溫度范圍:-55℃~+150℃
FHP10N65具有以下顯著特點:
1. 高額定電壓(650V),適合高壓環(huán)境下的應用。
2. 較低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關能力,支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能開關電路。
4. 緊湊封裝形式,節(jié)省PCB空間。
5. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持穩(wěn)定性能。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠。
FHP10N65廣泛應用于多種電力電子領域,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開關。
2. 工業(yè)設備中的電機驅動和控制。
3. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)。
5. 高頻DC-DC轉換器。
6. 各種需要高壓、大電流切換的應用場景。
IRFP460, STP10NK65Z, FGH10N65SMD