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FHW0402UC3N0KST 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 14:24:38 查看 閱讀:10

FHW0402UC3N0KST 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其主要用途包括電源適配器、快充設(shè)備以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用超小型封裝形式,具有高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點(diǎn),能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的性能和功率密度。
  這款器件特別適合需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景,例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器、工業(yè)設(shè)備中的電源模塊等。

參數(shù)

型號(hào):FHW0402UC3N0KST
  類型:GaN 功率晶體管
  封裝:UC3N
  額定電壓:650V
  額定電流:4A
  導(dǎo)通電阻:160mΩ
  最大工作溫度:175°C
  柵極驅(qū)動(dòng)電壓:6V(典型值)
  上升/下降時(shí)間:5ns(典型值)
  開關(guān)頻率:高達(dá) 5MHz

特性

FHW0402UC3N0KST 的主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的氮化鎵技術(shù),相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,它提供了更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度。這些優(yōu)勢(shì)使得其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)尤為出色,同時(shí)還能減少系統(tǒng)中的熱損耗。
  此外,該芯片的緊湊型封裝有助于減小整體電路板面積,提高功率密度。由于其出色的電氣特性和可靠性,F(xiàn)HW0402UC3N0KST 能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。
  具體特性如下:
  - 高效的 GaN 技術(shù)確保了低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗。
  - 支持高達(dá) 5MHz 的開關(guān)頻率,適用于高頻應(yīng)用。
  - 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制以增強(qiáng)器件的魯棒性。
  - 小巧的 UC3N 封裝節(jié)省空間并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過程。
  - 具有良好的熱穩(wěn)定性,可在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。

應(yīng)用

FHW0402UC3N0KST 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  - USB PD 快速充電器和適配器
  - 小型化 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  - 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效電源管理
  - 工業(yè)級(jí)電源模塊和通信設(shè)備供電
  - LED 照明驅(qū)動(dòng)器
  - 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器
  其高頻開關(guān)能力和高效率使它成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇,尤其是在需要小型化和高性能的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

FHW0402UC3N0JST,FHW0402UC3N0KLT

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