FHW1008UC3N9JGT 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有出色的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其設(shè)計(jì)旨在滿足高頻率應(yīng)用中的嚴(yán)格要求。此外,F(xiàn)HW1008UC3N9JGT采用了緊湊的封裝形式,有助于簡(jiǎn)化PCB布局并減少整體解決方案的尺寸。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds:100V
最大柵源電壓Vgs:±20V
持續(xù)漏極電流Id:8A
導(dǎo)通電阻Rds(on):35mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷Qg:10nC(典型值)
開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
工作溫度范圍Tj:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-252 (DPAK)
1. 低導(dǎo)通電阻Rds(on),可降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 緊湊型封裝,有助于節(jié)省PCB空間。
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中。
7. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了器件的可靠性。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
4. 汽車電子中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑管理。
7. 各類便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方案。
FDP8880, IRF840, STP80NF10