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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FHW1008UC3N9JGT

FHW1008UC3N9JGT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/14 17:47:03 查看 閱讀�19

FHW1008UC3N9JGT 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的�(kāi)�(guān)特性和�(dǎo)通性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其設(shè)�(jì)旨在滿足高頻率應(yīng)用中的嚴(yán)格要�。此�,F(xiàn)HW1008UC3N9JGT采用了緊湊的封裝形式,有助于�(jiǎn)化PCB布局并減少整體解決方案的尺寸�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�100V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流Id�8A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�35mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷Qg�10nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

1. 低導(dǎo)通電阻Rds(on),可降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 緊湊型封裝,有助于節(jié)省PCB空間�
  5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)��
  7. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了器件的可靠��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主�(kāi)�(guān)或續(xù)流二極管替代�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
  4. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑管��
  7. 各類便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方��

替代型號(hào)

FDP8880, IRF840, STP80NF10

fhw1008uc3n9jgt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)