FHW1008UC5N6JGT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�。其封裝形式� UC5N6JGT,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合用于對(duì)空間和效率有�(yán)格要求的電子�(shè)備中�
該型�(hào)� MOSFET 能夠在高頻工作條件下保持較低的損耗,同時(shí)提供�(wěn)定的電流承載能力,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理電路�
類型:MOSFET
封裝:UC5N6JGT
漏源極電�(Vds)�100V
連續(xù)漏極電流(Id)�8A
柵極電荷(Qg)�20nC
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5mΩ
功耗:4W
工作溫度范圍�-55� � +175�
FHW1008UC5N6JGT 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場(chǎng)�,減少電磁干�(EMI)�
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度�(huán)境下可靠�(yùn)行�
4. 小型化設(shè)�(jì),適合高密度 PCB 布局,節(jié)省空��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和熱�(guān)斷機(jī)�,提高了系統(tǒng)的安全性與可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品需��
這些特性使� FHW1008UC5N6JGT 成為一種理想的功率開關(guān)元件,特別適合用于需要高效能和高�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)景�
FHW1008UC5N6JGT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的半橋或全橋配��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電池管理�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器�
6. LED 照明�(qū)�(dòng)器中的恒流控制�
由于其高效的性能和廣泛的適應(yīng)�,F(xiàn)HW1008UC5N6JGT 可以滿足不同行業(yè)�(duì)功率管理解決方案的需��
FQD10N10,
FDS6680,
IRF640N