FHW1812IF151JST 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高效功率轉換應用設�。該器件采用先進的封裝工藝,能夠提供卓越的開關性能和低導通電�,適用于電源管理、通信設備及工�(yè)級功率轉換系�(tǒng)�
由于其材料特性和結構設計,F(xiàn)HW1812IF151JST 能夠在高頻條件下保持較低的損�,同時支持快速開關和�(wěn)定的電流承載能力�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1200pF
反向恢復時間�20ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
FHW1812IF151JST 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 高速開關能�,適合高頻操作環(huán)��
3. �(nèi)置保護機制以防止過壓或過流損��
4. �(wěn)定的工作溫度范圍,能夠在惡劣�(huán)境下長期運行�
5. 小型化的封裝設計,便于集成到緊湊型電路中�
6. �(yōu)秀的熱性能,確保長時間使用時的�(wěn)定性�
FHW1812IF151JST 廣泛應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換��
2. 無線充電模塊�
3. 工業(yè)電機�(qū)動控��
4. 太陽能逆變��
5. �(shù)�(jù)中心電源管理�
6. 電動車充電基礎設��
7. 高頻通信設備中的射頻放大器�
FHW1812IF150KST
FHW1812IG151JST
GAN063-650WSA