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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FHW1812IF151JST

FHW1812IF151JST 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 10:02:39 查看 閱讀�15

FHW1812IF151JST 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高效功率轉換應用設�。該器件采用先進的封裝工藝,能夠提供卓越的開關性能和低導通電�,適用于電源管理、通信設備及工�(yè)級功率轉換系�(tǒng)�
  由于其材料特性和結構設計,F(xiàn)HW1812IF151JST 能夠在高頻條件下保持較低的損�,同時支持快速開關和�(wěn)定的電流承載能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  輸入電容�1200pF
  反向恢復時間�20ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

FHW1812IF151JST 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高效率�
  2. 高速開關能�,適合高頻操作環(huán)��
  3. �(nèi)置保護機制以防止過壓或過流損��
  4. �(wěn)定的工作溫度范圍,能夠在惡劣�(huán)境下長期運行�
  5. 小型化的封裝設計,便于集成到緊湊型電路中�
  6. �(yōu)秀的熱性能,確保長時間使用時的�(wěn)定性�

應用

FHW1812IF151JST 廣泛應用于以下領域:
  1. 高效 DC-DC 轉換��
  2. 無線充電模塊�
  3. 工業(yè)電機�(qū)動控��
  4. 太陽能逆變��
  5. �(shù)�(jù)中心電源管理�
  6. 電動車充電基礎設��
  7. 高頻通信設備中的射頻放大器�

替代型號

FHW1812IF150KST
  FHW1812IG151JST
  GAN063-650WSA

fhw1812if151jst推薦供應� 更多>

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