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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FHW1812IF181JST

FHW1812IF181JST 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 13:55:02 查看 閱讀�27

FHW1812IF181JST 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其它需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低寄生電感和熱阻,從而提升整體性能�
  此型�(hào)屬于Infineon Technologies推出的CoolGaN系列,具有非常低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合要求高效率和緊湊設(shè)�(jì)的電力電子應(yīng)��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode GaN HEMT�
  最大漏源電壓:600 V
  最大連續(xù)漏極電流�18 A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�45 mΩ
  柵極閾值電壓:2.3 V � 4.0 V
  工作溫度范圍�-55 � � +150 �
  封裝形式:TO-247-4L

特�

FHW1812IF181JST 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能�,支持高�(dá)600V的工作環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在高電流條件下保持較低的傳�(dǎo)損耗�
  3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  4. 先�(jìn)的熱管理�(shè)�(jì),使得器件能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)的可靠��
  6. 封裝兼容性良�,易于集成到�(xiàn)有電路設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

FHW1812IF181JST 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模�
  3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電�
  4. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC�
  5. 太陽能逆變�
  6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  7. 消費(fèi)類快充適配器
  這款器件特別適合需要高效率、小尺寸和輕量化�(shè)�(jì)的電力電子系�(tǒng)�

替代型號(hào)

FHW1812IF181JST的替代型�(hào)包括�
  FHW1812IF181JSW
  FHW1812IF181JTW
  FHW1812IF181JMW

fhw1812if181jst推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)