時間：2025/4/29 13:37:37
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FHW1812IF560JST 是一款功率 MOSFET 芯片，采用先進的溝槽式結構設計，屬于 N 溝道增強型場效應晶體管。該芯片廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動以及負載開關等場景中，能夠提供高效率和低損耗的性能表現。
此器件具有較低的導通電阻和較高的電流承載能力，同時具備出色的熱特性和電氣穩(wěn)定性，適用于對功率密度要求較高的應用場合。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：94A
導通電阻（典型值）：3.7mΩ
柵極電荷：88nC
輸入電容：3060pF
工作溫度范圍：-55℃至175℃
1. 極低的導通電阻保證了高效能轉換，減少了導通損耗。
2. 高電流承載能力使得該器件可以滿足大功率應用場景的需求。
3. 快速開關速度降低了開關損耗，提升了整體效率。
4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性確保了在極端溫度條件下依然能夠可靠運行。
5. 小型化封裝設計有助于節(jié)省電路板空間，提高功率密度。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且安全可靠。
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 轉換器的核心開關元件。
3. 電機驅動電路中的功率級控制。
4. 各類負載開關及保護電路。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 及逆變器部分。
FCH18N60, IRF540N, STP90NF06L
