FHW1812IF821KST是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度等特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
型號(hào):FHW1812IF821KST
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-220
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
總電荷量�55nC
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至175�
FHW1812IF821KST具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))設(shè)�(jì),可降低功率損耗并提高效率�
2. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能使其適用于高頻應(yīng)��
4. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,同�(shí)具備良好的散熱性能�
5. 良好的短路耐受能力,提升了系統(tǒng)可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合多種工業(yè)�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,如適配器和充電器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),特別是步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)的控��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保護(hù)電池免受�(guò)充或�(guò)放的影響�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
FDS6670A, IRFZ44N, STP30NF06L