FI212P0829G3-T 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,主要用于高效能開關應用。該器件采用 P-Channel 技�,具備低導通電阻和高效率的特點,適用于多種工業(yè)及消費電子領�。其封裝形式為行�(yè)標準� TO-263,能夠提供出色的散熱性能�
這款 MOSFET 在設計上專注于降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效�,非常適合用于電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關以及其他需要高性能開關的場��
型號:FI212P0829G3-T
類型:P-Channel MOSFET
Vds(最大漏源電壓)�-20V
Rds(on)(導通電阻)�45mΩ(典型�,在 Vgs=-4.5V 時)
Id(持�(xù)漏極電流):-20A
Pd(總功耗)�117W
封裝:TO-263
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
柵極電荷�17nC(典型值)
輸入電容�1020pF(典型值)
1. 低導通電阻:在額定條件下,Rds(on) 僅為 45mΩ,能夠顯著減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力:支持高達 -20A 的持�(xù)漏極電流,滿足大功率應用需��
3. 快速開關性能:具有較低的柵極電荷和輸入電容,有助于實�(xiàn)更快的開關速度�
4. 強大的熱性能:采� TO-263 封裝,優(yōu)化了散熱路徑,確保在高功率條件下�(wěn)定運行�
5. 寬工作溫度范圍:能夠� -55°C � +150°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作,適應各種嚴苛環(huán)��
1. 電源管理:用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開關模式電� (SMPS) 和其他電源管理模塊�
2. 負載開關:作為高效的負載開關,控制不同電路間的電流流動�
3. 電機�(qū)動:應用于小型直流電機驅(qū)動電路中,提供精確的電流控制�
4. 電池管理系統(tǒng):用于保護電池組免受過充、過放或其他異常情況的影��
5. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動化設備中作為關鍵的功率開關元��
FI212P0829G2-T, FI212P0829G4-T