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FK08N151J502EFG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 17:59:59 查看 閱讀�19

FK08N151J502EFG 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)屬于特定�(chǎng)商的功率 MOSFET 系列,采� TO-263 封裝形式,便于散熱和集成�(shè)�(jì)。其出色的電氣性能和可靠性使其成為工�(yè)控制、汽�(chē)電子及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  總功耗:115W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263

特�

1. 低導(dǎo)通電阻:120mΩ � Rds(on) 可顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體效率�
  2. 高開(kāi)�(guān)速度:具備快速的�(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力:支持高�(dá) 8A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足高功率需��
  4. 寬工作溫度范圍:� -55� � +175� 的結(jié)溫范圍確保了器件在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. �(yōu)化的熱性能:采� TO-263 封裝,提供良好的散熱路徑�
  6. ESD 防護(hù)能力:內(nèi)置保�(hù)�(jī)制增�(qiáng)了器件對(duì)靜電放電的耐受性�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):適用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為直流�(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)提供高效�(qū)�(dòng)方案�
  3. 工業(yè)控制:用于可編程邏輯控制器(PLC�、逆變器等�(shè)備中的功率管��
  4. 汽車(chē)電子:可用于�(chē)載充電器、電池管理系�(tǒng)(BMS)以及其他車(chē)載電子模��
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:如適配器、充電器和家用電器中的功率轉(zhuǎn)換部分�

替代型號(hào)

IRF840,
  STP80NF06,
  FQP8N50,
  IXFN100N15T2

fk08n151j502efg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)