FK20X332K502EGQ 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗。
此型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,適合在高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)元件使用。
類(lèi)型:MOSFET
極性:N溝道
Vds(漏源電壓):50V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):3.3mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
柵極電荷:46nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
FK20X332K502EGQ 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,支持高頻操作,非常適合現(xiàn)代高效能電源設(shè)計(jì)。
3. 高耐壓能力 (50V),能夠在多種應(yīng)用場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 大電流承載能力 (高達(dá) 100A),使其適用于高功率密度的應(yīng)用。
5. 寬泛的工作溫度范圍 (-55℃ 至 +175℃),確保在極端環(huán)境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)開(kāi)關(guān)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 通信電源和汽車(chē)電子系統(tǒng)的功率管理部分。
其出色的電氣特性和穩(wěn)定性使得 FK20X332K502EGQ 成為眾多高功率應(yīng)用的理想選擇。
IRFZ44N
FQP50N06L
STP100NF06L