FM31256-GTR 是一款基于鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技�(shù)的非易失性存�(chǔ)芯片。它� Ramtron International Corporation 開發(fā),提供了高讀寫耐久性和低功耗特�。FM31256-GTR 的主要特�(diǎn)在于其結(jié)合了傳統(tǒng) RAM � EEPROM 的優(yōu)�(shì),能夠在斷電后保存數(shù)�(jù)而不需額外的刷新電路或電池支持。該器件廣泛�(yīng)用于需要頻繁寫入和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景,如工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、汽車電子以及數(shù)�(jù)記錄系統(tǒng)�
FM31256-GTR 提供� 3.3V 工作電壓范圍,并采用�(biāo)�(zhǔn) SPI 接口�(jìn)行通信。它的存�(chǔ)容量� 256Kb�32768 字節(jié)�,具有極高的寫入速度和超�(zhǎng)使用壽命,非常適合要求高可靠性和�(wěn)定性的�(yīng)用�
存儲(chǔ)容量�256Kb
接口類型:SPI
工作電壓�3.0V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�8 引腳 SOIC
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過 10 �
寫入次數(shù):超� 10^12 �
�(shí)鐘頻率:最� 20MHz
FM31256-GTR 的核心優(yōu)�(shì)在于其使� FRAM 技�(shù),這種技�(shù)使得芯片具備以下特性:
1. 高耐用性:支持高達(dá) 10^12 次寫入操作,�(yuǎn)高于傳統(tǒng) EEPROM 或閃存的寫入壽命�
2. 低功耗:寫入�(shù)�(jù)�(shí)不需大電流脈沖,從而顯著降低能��
3. 快速寫入:無需頁面擦除操作,可以直接寫入數(shù)�(jù),極大提升了�(shù)�(jù)記錄的速度�
4. 非易失性:即使在斷電情況下,數(shù)�(jù)也不�(huì)丟失�
5. 抗輻射能力:相比傳統(tǒng)的存�(chǔ)器,F(xiàn)RAM �(duì)輻射�(huán)境有更好的適�(yīng)�,適用于一些特殊工�(yè)�(chǎng)合�
6. 寬溫工作范圍:能夠適�(yīng)極端溫度條件下的操作需�,確保在惡劣�(huán)境下依然可靠�
FM31256-GTR 主要用于需要高頻率寫入和長(zhǎng)�(shí)間數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)�。典型應(yīng)用包括:
1. �(shù)�(jù)日志記錄:例如工�(yè)�(jiān)控系�(tǒng)中的事件記錄、黑匣子功能��
2. �(yī)療設(shè)備:如心率監(jiān)�(cè)儀、血糖儀的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
3. 汽車電子:可用于記錄駕駛�(shù)�(jù)、故障診斷信息等�
4. 工業(yè)自動(dòng)化:�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與存�(chǔ),便于后�(xù)分析�
5. 物聯(lián)�(wǎng)終端:用作本地緩存或�(guān)鍵參�(shù)的持久化存儲(chǔ)�
6. 游戲�(jī)或消�(fèi)類電子產(chǎn)品:作為高速緩存或用戶偏好�(shè)置存�(chǔ)區(qū)�
FM25L256B, MB85RC256V