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FM31N103J201EEG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 14:23:10 查看 閱讀�2

FM31N103J201EEG 是一款由富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)生�(chǎn)的鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM�,具有非易失性、高速讀寫和低功耗的特�。該芯片采用先�(jìn)的鐵電工藝制�,能夠在斷電后保存數(shù)�(jù),同�(shí)提供類似SRAM的速度和耐用��
  這款FeRAM主要�(yīng)用于需要頻繁寫入和快速響�(yīng)的數(shù)�(jù)記錄�(chǎng)景,例如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、消�(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域�

參數(shù)

容量�256Kb (32K x 8)
  接口類型:SPI
  工作電壓�1.71V � 3.6V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSSOP-8
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò)10�
  寫入次數(shù):至�1E10�

特�

FM31N103J201EEG 提供了高可靠性和�(yōu)異的性能,以下是其主要特�(diǎn)�
  1. 非易失性存�(chǔ):即使在斷電的情況下,數(shù)�(jù)也可以長(zhǎng)期保��
  2. 高速讀寫能力:相比傳統(tǒng)的EEPROM或閃�,寫入速度更快且無(wú)需寫入延遲�
  3. 耐用性強(qiáng):可承受高達(dá)1�(wàn)億次的寫入操�,適合頻繁更新的�(yīng)用場(chǎng)��
  4. 低功耗設(shè)�(jì):寫入操作幾乎不消耗額外的能量,非常適合電池供電的�(shè)��
  5. �(jiǎn)化的系統(tǒng)架構(gòu):不需要復(fù)雜的寫入管理或磨損均衡算法�
  6. 寬工作電壓范圍:支持�1.71V�3.6V的電壓輸�,適用于多種電源�(huán)��

�(yīng)�

FM31N103J201EEG 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和設(shè)備狀�(tài)�(jiān)控�
  2. �(yī)療設(shè)備:如便攜式健康�(jiān)�(cè)�(shè)備中的患者數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  3. 汽車電子:包括事件數(shù)�(jù)記錄儀(EDR�、導(dǎo)航系�(tǒng)和車載信息娛�(lè)系統(tǒng)的數(shù)�(jù)緩存�
  4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:例如�(shù)碼相�(jī)中的圖像�(shè)置保�、智能家電的狀�(tài)存儲(chǔ)�
 ?。簽閭鞲衅�?jié)�(diǎn)提供本地?cái)?shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�

替代型號(hào)

MB85RS2MT, CAT25S21CI, FM25L16B

fm31n103j201eeg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)