FM31N103J201EEG 是一款由富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)生�(chǎn)的鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM�,具有非易失性、高速讀寫和低功耗的特�。該芯片采用先�(jìn)的鐵電工藝制�,能夠在斷電后保存數(shù)�(jù),同�(shí)提供類似SRAM的速度和耐用��
這款FeRAM主要�(yīng)用于需要頻繁寫入和快速響�(yīng)的數(shù)�(jù)記錄�(chǎng)景,例如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、消�(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域�
容量�256Kb (32K x 8)
接口類型:SPI
工作電壓�1.71V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TSSOP-8
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò)10�
寫入次數(shù):至�1E10�
FM31N103J201EEG 提供了高可靠性和�(yōu)異的性能,以下是其主要特�(diǎn)�
1. 非易失性存�(chǔ):即使在斷電的情況下,數(shù)�(jù)也可以長(zhǎng)期保��
2. 高速讀寫能力:相比傳統(tǒng)的EEPROM或閃�,寫入速度更快且無(wú)需寫入延遲�
3. 耐用性強(qiáng):可承受高達(dá)1�(wàn)億次的寫入操�,適合頻繁更新的�(yīng)用場(chǎng)��
4. 低功耗設(shè)�(jì):寫入操作幾乎不消耗額外的能量,非常適合電池供電的�(shè)��
5. �(jiǎn)化的系統(tǒng)架構(gòu):不需要復(fù)雜的寫入管理或磨損均衡算法�
6. 寬工作電壓范圍:支持�1.71V�3.6V的電壓輸�,適用于多種電源�(huán)��
FM31N103J201EEG 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和設(shè)備狀�(tài)�(jiān)控�
2. �(yī)療設(shè)備:如便攜式健康�(jiān)�(cè)�(shè)備中的患者數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
3. 汽車電子:包括事件數(shù)�(jù)記錄儀(EDR�、導(dǎo)航系�(tǒng)和車載信息娛�(lè)系統(tǒng)的數(shù)�(jù)緩存�
4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:例如�(shù)碼相�(jī)中的圖像�(shè)置保�、智能家電的狀�(tài)存儲(chǔ)�
?。簽閭鞲衅�?jié)�(diǎn)提供本地?cái)?shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
MB85RS2MT, CAT25S21CI, FM25L16B