FM31X224K251EEG 是一款由富士通(Fujitsu)推出的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM)。該芯片結(jié)合了高速 SRAM 和非易失性鐵電存儲(chǔ)技術(shù),能夠在斷電時(shí)保存數(shù)據(jù),同時(shí)提供 SRAM 的快速訪問(wèn)速度。這款 NVSRAM 芯片廣泛應(yīng)用于需要高可靠性、低功耗和快速數(shù)據(jù)保存的場(chǎng)景。
FM31X224K251EEG 提供 262,144 位(32KB)的存儲(chǔ)容量,支持字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)訪問(wèn),并具備多種特性以確保數(shù)據(jù)完整性與系統(tǒng)性能。
存儲(chǔ)容量:262144 bits (32KB)
接口類(lèi)型:SPI
工作電壓:1.7V 至 3.6V
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過(guò)10年
擦寫(xiě)耐久性:超過(guò)1億次
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:TSSOP-8
FM31X224K251EEG 具有以下顯著特性:
1. 非易失性:即使在斷電的情況下,數(shù)據(jù)也可以永久保存,無(wú)需額外的后備電源。
2. 高速讀寫(xiě):其基于 SRAM 的架構(gòu)提供了極快的訪問(wèn)速度,適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄和處理。
3. 低功耗:采用先進(jìn)的制造工藝,大幅降低運(yùn)行功耗,特別適用于電池供電設(shè)備。
4. 高可靠性:支持高達(dá)一億次的擦寫(xiě)周期,能夠應(yīng)對(duì)高頻數(shù)據(jù)更新的需求。
5. 寬工作電壓范圍:支持從 1.7V 到 3.6V 的工作電壓,適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
6. 數(shù)據(jù)完整性保護(hù):內(nèi)置硬件保護(hù)機(jī)制,防止意外斷電或干擾導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失。
FM31X224K251EEG 廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:如 PLC 控制器中的數(shù)據(jù)日志記錄和關(guān)鍵參數(shù)保存。
2. 醫(yī)療設(shè)備:如便攜式健康監(jiān)測(cè)儀中的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
3. 消費(fèi)電子:如智能家電中配置信息的保存。
4. 通信設(shè)備:在網(wǎng)絡(luò)路由器或交換機(jī)中存儲(chǔ)配置文件和狀態(tài)信息。
5. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT):在傳感器節(jié)點(diǎn)中記錄采集到的數(shù)據(jù)并確保數(shù)據(jù)不丟失。
FM31C224K251EFG, FM31C224K251EGG