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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FM31X224K251EEG

FM31X224K251EEG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 14:06:49 查看 閱讀�2

FM31X224K251EEG 是一款由富士通(Fujitsu)推出的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM�。該芯片�(jié)合了高� SRAM 和非易失性鐵電存�(chǔ)技�(shù),能夠在斷電�(shí)保存�(shù)�(jù),同�(shí)提供 SRAM 的快速訪�(wèn)速度。這款 NVSRAM 芯片廣泛�(yīng)用于需要高可靠性、低功耗和快速數(shù)�(jù)保存的場(chǎng)��
  FM31X224K251EEG 提供 262,144 位(32KB)的存儲(chǔ)容量,支持字節(jié)寬度的數(shù)�(jù)訪問(wèn),并具備多種特性以確保�(shù)�(jù)完整性與系統(tǒng)性能�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�262144 bits (32KB)
  接口�(lèi)型:SPI
  工作電壓�1.7V � 3.6V
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò)10�
  擦寫(xiě)耐久性:超過(guò)1億次
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSSOP-8

特�

FM31X224K251EEG 具有以下顯著特性:
  1. 非易失性:即使在斷電的情況�,數(shù)�(jù)也可以永久保存,�(wú)需額外的后備電��
  2. 高速讀�(xiě):其基于 SRAM 的架�(gòu)提供了極快的訪問(wèn)速度,適合實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和處��
  3. 低功耗:采用先�(jìn)的制造工�,大幅降低運(yùn)行功耗,特別適用于電池供電設(shè)��
  4. 高可靠性:支持高達(dá)一億次的擦�(xiě)周期,能夠應(yīng)�(duì)高頻�(shù)�(jù)更新的需��
  5. 寬工作電壓范圍:支持� 1.7V � 3.6V 的工作電壓,適應(yīng)不同的電源環(huán)��
  6. �(shù)�(jù)完整性保�(hù):內(nèi)置硬件保�(hù)�(jī)制,防止意外斷電或干擾導(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�

�(yīng)�

FM31X224K251EEG 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化:� PLC 控制器中的數(shù)�(jù)日志記錄和關(guān)鍵參�(shù)保存�
  2. �(yī)療設(shè)備:如便攜式健康�(jiān)�(cè)儀中的用戶�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  3. 消費(fèi)電子:如智能家電中配置信息的保存�
  4. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)路由器或交換�(jī)中存�(chǔ)配置文件和狀�(tài)信息�
  5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT):在傳感器節(jié)�(diǎn)中記錄采集到的數(shù)�(jù)并確保數(shù)�(jù)不丟��

替代型號(hào)

FM31C224K251EFG, FM31C224K251EGG

fm31x224k251eeg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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fm31x224k251eeg�(chǎn)�