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FN03N820J500PLG 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 14:14:30 查看 閱讀�2

FN03N820J500PLG 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式� PLG 封裝,能夠有效提升散熱性能和電氣連接可靠��
  FN03N820J500PLG 主要用于需要高效功率切換的�(yīng)用場�,例如開�(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器�。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)計,該器件能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和較高的效��

參數(shù)

型號:FN03N820J500PLG
  類型:N溝道增強型MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):820V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�0.5Ω
  Id(連續(xù)漏極電流):16A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Qg(總柵極電荷):40nC
  EAS(雪崩能量)�2.2J
  封裝:PLG
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

FN03N820J500PLG 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,Vds 達到 820V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在典型條件下僅� 0.5Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能�
  4. 快速開�(guān)速度,Qg 值較�,可顯著降低開關(guān)損��
  5. 強大的雪崩能量承受能�,EAS 高達 2.2J,提高了器件在異常情況下的可靠��
  6. 寬泛的工作溫度范圍,支持� -55°C � +175°C 的極端環(huán)境應(yīng)��
  7. 先進的 PLG 封裝技�(shù),提供優(yōu)秀的散熱性能和機械強��
  8. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合多種工�(yè)及消費類電子�(yīng)��

�(yīng)�

FN03N820J500PLG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開�(guān)器件,實�(xiàn)高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換�
  2. 電機�(qū)動:控制直流或無刷直流電機的運行狀�(tài),提供精確的功率�(diào)節(jié)�
  3. 工業(yè)逆變器:在太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中使用,以實現(xiàn)高效率的能量�(zhuǎn)換�
  4. 電動汽車和混合動力汽車中的功率模塊:用于電池管理系統(tǒng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機控制器�
  5. LED �(qū)動電路:提供�(wěn)定且高效的電流輸�,確� LED 照明系統(tǒng)的正常運��
  6. �(fù)載開�(guān)和保護電路:快速響�(yīng)過流、過壓等故障條件,保護下游電路的安全�

替代型號

IRF840,
  FDP820,
  STP16NF82,
  IXTH16N82L

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