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FN15N3R6C500PNG 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 2:56:42 查看 閱讀:8

FN15N3R6C500PNG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,適用于電源管理、電機驅(qū)動和電信設(shè)備等領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝,確保在高頻率和高功率條件下仍能保持穩(wěn)定性能。
  這款MOSFET屬于N溝道增強型,其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn)的PN包封,能夠有效提升散熱性能并簡化電路板布局。通過優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計,F(xiàn)N15N3R6C500PNG能夠在各種復(fù)雜的工作環(huán)境下提供出色的效率和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:15A
  導(dǎo)通電阻:3mΩ
  柵極電荷:40nC
  總電容:250pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:PNG

特性

FN15N3R6C500PNG的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(3mΩ),可顯著降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和PWM控制器。
  3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,能在高溫環(huán)境下持續(xù)運行,延長產(chǎn)品壽命。
  4. 內(nèi)置ESD保護功能,增強了器件的抗靜電能力。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
  此外,該器件還具備良好的雪崩能力和短路耐受能力,進一步提升了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

應(yīng)用

FN15N3R6C500PNG廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機驅(qū)動控制
  4. 通信電源模塊
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備
  6. 汽車電子中的輔助電源單元
  由于其出色的性能和可靠性,該芯片特別適合對效率和散熱要求較高的應(yīng)用環(huán)境。

替代型號

IRF3710
  STP15NF03L
  FDP15N03B

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