FN18N102J500PSG 是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合在高效能要求的場景中使用。
這款功率 MOSFET 的額定電壓為 100V,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 18A(取決于散熱條件),其優(yōu)化的設(shè)計(jì)使得導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均處于較低水平,從而提高了整體系統(tǒng)效率。
型號:FN18N102J500PSG
類型:N溝道功率MOSFET
封裝:TO-220
最大漏源電壓(V_DSS):100V
最大連續(xù)漏極電流(I_D):18A
柵極閾值電壓(V_GS(th)):2.1V 至 4V
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):7mΩ(典型值,在 V_GS = 10V 時(shí))
最大功耗(PD):125W
工作溫度范圍(T_J):-55℃ 至 +175℃
FN18N102J500PSG 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)能力,能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用的需求。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性。
4. 熱穩(wěn)定性良好,即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
6. 提供良好的靜電防護(hù)能力,降低了生產(chǎn)過程中的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
這些特性使 FN18N102J500PSG 成為各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
FN18N102J500PSG 可用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流管。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級元件,支持從低功率到中等功率的多種電機(jī)控制方案。
3. 電池保護(hù)電路,提供過流保護(hù)和快速切換功能。
4. 各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,例如便攜式設(shè)備中的電源管理模塊。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器中的功率開關(guān),確保精確的電流調(diào)節(jié)。
由于其高性能表現(xiàn)和寬泛的工作條件,這款 MOSFET 在汽車電子、家用電器及通信設(shè)備等方面也有廣泛應(yīng)用。
IRFZ44N, FQP18N10, STP18NF10