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FN18N1R0C500PSG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 14:25:09 查看 閱讀�2

FN18N1R0C500PSG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,采用先�(jìn)的制造工�。該型號(hào)屬于功率MOSFET系列,適用于各種高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用。其�(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,從而降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  該器件支持較高的工作電壓,并具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽�(chē)電子�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):FN18N1R0C500PSG
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源極擊穿電�(Vds)�500V
  柵源極電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.0mΩ(典型值,在特定條件下�
  總功�(Ptot)�360W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

FN18N1R0C500PSG具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力�500V的漏源極擊穿電壓使其能夠承受高壓�(huán)�,適合多種功率應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅�1.0mΩ,從而有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:該器件具有較小的輸入電容和輸出電荷,確保快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  4. �(qiáng)大的電流承載能力:支持高�(dá)18A的持�(xù)漏極電流,滿足高功率需��
  5. 高溫�(wěn)定性:能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠工作,適�(yīng)惡劣的工作條件�
  6. 緊湊的封裝設(shè)�(jì):采用TO-247封裝,便于散熱和安裝,同�(shí)節(jié)省空��
  這些特性使FN18N1R0C500PSG成為高效功率�(zhuǎn)換和控制的理想選擇�

�(yīng)�

該型�(hào)主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC)和其他類(lèi)型的電機(jī)控制電路�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān):用作大電流�(fù)載的�(kāi)�(guān)元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):提供高效的充放電路徑控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制�(PLC)、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
  6. 汽車(chē)電子:包括電�(dòng)助力�(zhuǎn)�(EPS)、電�(dòng)�(chē)窗和座椅�(diào)節(jié)等系�(tǒng)�
  憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,F(xiàn)N18N1R0C500PSG可以勝任多種�(fù)雜場(chǎng)景下的功率管理任�(wù)�

替代型號(hào)

IRFP460,
  STP18NF50,
  FDP18N50,
  IXFK18N50P

fn18n1r0c500psg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)