時(shí)間：2025/5/23 11:26:41
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FN18N8R2D500PSG是一種高性能的功率MOSFET，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，具備良好的開關(guān)特性和熱性能。其封裝形式為PG-TO263-3，適合高密度貼片安裝，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，具有較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）以及快速的開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓：80V
連續(xù)漏極電流：18A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2mΩ
柵極電荷：40nC
開關(guān)時(shí)間：ton=9ns，toff=25ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：PG-TO263-3
FN18N8R2D500PSG的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 超低導(dǎo)通電阻（2mΩ），能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷，支持高頻操作，減少開關(guān)損耗。
3. 高電流承載能力（18A），滿足大功率應(yīng)用需求。
4. 支持寬范圍的工作溫度（-55℃至+175℃），適用于惡劣環(huán)境下的工作。
5. 具備良好的熱性能，便于散熱設(shè)計(jì)。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
7. 封裝緊湊，適合表面貼裝技術(shù)（SMT），節(jié)省PCB空間。
該型號的MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)管。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
5. 汽車電子中的電池管理及電源分配。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
由于其高效能表現(xiàn)和可靠性，該器件特別適合對效率和散熱要求較高的場景。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06
