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FN18X222K160PSG 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 0:08:44 查看 閱讀�10

FN18X222K160PSG 是一款高性能� N 溝道 MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效能和穩(wěn)定性�
  該型號的功率 MOSFET 以增強型場效�(yīng)晶體管為基礎(chǔ),通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài),適合需要快速響�(yīng)和低功耗的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�30A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�4.5mΩ(在VGS=10V時)
  總功�(Ptot)�75W
  工作溫度范圍(TA)�-55℃至+175�
  柵極電荷(Qg)�39nC
  反向恢復(fù)時間(trr)�85ns

特�

FN18X222K160PSG 的主要特點是其低�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,僅� 4.5mΩ(在 VGS=10V 時)。這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,并提升整體效率�
  其次,該器件具有非常小的柵極電荷(Qg=39nC),這意味著其開�(guān)速度快且動態(tài)損耗較�,非常適合高頻開�(guān)電路�
  此外,其反向恢復(fù)時間(trr=85ns)較短,有助于減少開�(guān)過程中的能量損失。再加上較高的工作溫度范圍(-55� � +175℃),該器件可以適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境�
  最�,F(xiàn)N18X222K160PSG 使用 TO-252 (DPAK) 封裝,便于表面貼裝和散熱管理,同時支持自動化生產(chǎn)流程�

�(yīng)�

FN18X222K160PSG 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動和控制,如無刷直流電機 (BLDC) �(qū)動器�
  3. LED 照明�(qū)動電��
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率級�(zhuǎn)換�
  5. 各種高頻開關(guān)電路及負(fù)載切換應(yīng)��
  6. 充電器和適配器設(shè)計中的同步整��
  由于其出色的電氣特性和可靠�,這款功率 MOSFET 是許多功率電子系�(tǒng)的核心組��

替代型號

IRFZ44N, FDP16N60C, STP30NF60

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