FN21N100J102ECG是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件由知名制造商提供,適用于高電壓和高功率應(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在�(mǎn)足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)�(duì)效率、可靠性和小型化的需�。此MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)性能,適合于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景�
該型�(hào)中的部分�(biāo)�(shí)含義如下:FN表示制造商系列代碼�21N代表�(chǎn)品系列為N溝道MOSFET�100表示額定電壓�100V,J102是內(nèi)部工藝版本編�(hào),ECG則表示封裝類(lèi)型為T(mén)O-263(D2PAK��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷�37nC
輸入電容�1340pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
總功耗:10W
存儲(chǔ)溫度范圍�-55℃至+150�
1. 額定電壓高達(dá)100V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. �(dǎo)通電阻低�0.18Ω(典型值),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗�
3. 柵極電荷�?�?7nC),有助于實(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和減少開(kāi)�(guān)損��
4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端�(huán)境條�,可靠性更��
5. 封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK�,具備良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件在生產(chǎn)及使用過(guò)程中的抗靜電能力�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,無(wú)鉛焊接兼��
FN21N100J102ECG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量轉(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān),如電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)�(kāi)�(guān)�
5. UPS(不間斷電源)系�(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)�
6. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備中的功率控制元��
由于其出色的電氣特性和�(wěn)定性,這款MOSFET特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N, FDN21N100, STP55NF06