時(shí)間：2025/5/21 12:37:51
閱讀：17
FN21N681J501EIG 是一款由 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）生產(chǎn)的 N 沱道溝 MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場景。
這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其高擊穿電壓和優(yōu)化的導(dǎo)通性能，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
最大漏源極電壓：650V
最大連續(xù)漏電流：4A
最大柵極閾值電壓：4V
最大導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：3.5Ω（在 Vgs=10V 時(shí)）
總功耗：27W
工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
FN21N681J501EIG 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，具備以下特點(diǎn)：
1. 高擊穿電壓（650V），適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。
2. 低導(dǎo)通電阻（3.5Ω），可減少導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗。
3. 快速開關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用，如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 緊湊且堅(jiān)固的 TO-220 封裝，提供良好的散熱性能。
5. 寬泛的工作溫度范圍（-55℃ 至 150℃），適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
該元器件特別適合需要高效率和高可靠性的電力電子應(yīng)用，例如適配器、充電器、LED 驅(qū)動(dòng)器及工業(yè)控制設(shè)備。
FN21N681J501EIG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
6. 工業(yè)自動(dòng)化和家電中的功率管理模塊。
其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為上述應(yīng)用的理想選擇，尤其是在需要高效能和小型化解決方案的情況下。
IRF540N, FQP16N06L, BUZ11
