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FN21N681J501EIG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 12:37:51 查看 閱讀�17

FN21N681J501EIG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 沱道� MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場景�
  這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其高擊穿電壓和�(yōu)化的�(dǎo)通性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源極電壓�650V
  最大連續(xù)漏電流:4A
  最大柵極閾值電壓:4V
  最大導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  總功耗:27W
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

FN21N681J501EIG 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具備以下特�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓(650V�,適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)�(jì)�
  2. 低導(dǎo)通電阻(3.5Ω�,可減少�(dǎo)通狀�(tài)下的能量損��
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,如開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 緊湊且堅(jiān)固的 TO-220 封裝,提供良好的散熱性能�
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � 150℃),適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需求�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  該元器件特別適合需要高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)�,例如適配器、充電器、LED �(qū)�(dòng)器及工業(yè)控制�(shè)��

�(yīng)�

FN21N681J501EIG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  4. 電池保護(hù)和負(fù)載切��
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和家電中的功率管理模塊�
  其高擊穿電壓和低�(dǎo)通電阻使其成為上述應(yīng)用的理想選擇,尤其是在需要高效能和小型化解決方案的情況下�

替代型號

IRF540N, FQP16N06L, BUZ11