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FN21N681J501EIG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 12:37:51 查看 閱讀:17

FN21N681J501EIG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)生產(chǎn)的 N 沱道溝 MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適合應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場景。
  這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其高擊穿電壓和優(yōu)化的導(dǎo)通性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源極電壓:650V
  最大連續(xù)漏電流:4A
  最大柵極閾值電壓:4V
  最大導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(在 Vgs=10V 時(shí))
  總功耗:27W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃

特性

FN21N681J501EIG 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,具備以下特點(diǎn):
  1. 高擊穿電壓(650V),適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。
  2. 低導(dǎo)通電阻(3.5Ω),可減少導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗。
  3. 快速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  4. 緊湊且堅(jiān)固的 TO-220 封裝,提供良好的散熱性能。
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 150℃),適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  該元器件特別適合需要高效率和高可靠性的電力電子應(yīng)用,例如適配器、充電器、LED 驅(qū)動(dòng)器及工業(yè)控制設(shè)備。

應(yīng)用

FN21N681J501EIG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
  5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和家電中的功率管理模塊。
  其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為上述應(yīng)用的理想選擇,尤其是在需要高效能和小型化解決方案的情況下。

替代型號

IRF540N, FQP16N06L, BUZ11