FN31N104J500EPG是一款N溝道增強型功率MOSFET,適用于各種需要高效開關(guān)和低導通損耗的應(yīng)用場景。該器件采用先進的制造工藝,具有出色的電氣性能和可靠性,廣泛用于電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。
該型號屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)的N溝道MOSFET系列,其設(shè)計重點在于提供低導通電阻和快速開關(guān)能力,從而優(yōu)化系統(tǒng)效率并減少散熱需求。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:3.9A
導通電阻(典型值):27mΩ
柵極電荷:8nC
工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
封裝形式:PG-DSO-8
FN31N104J500EPG的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度,能夠有效減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常條件下的耐用性。
4. 符合RoHS標準,滿足環(huán)保要求。
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境的應(yīng)用需求。
6. 內(nèi)置靜電防護功能,提高了器件的抗干擾能力。
此外,其緊湊的封裝形式使得該器件非常適合空間受限的設(shè)計。
FN31N104J500EPG適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)或續(xù)流二極管替代方案。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路。
4. 電機驅(qū)動和控制電路中的功率級元件。
5. 各類消費電子設(shè)備中的電源管理模塊。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換和功率傳輸控制。
由于其高性能和高可靠性,該器件也常被用于汽車電子和通信基礎(chǔ)設(shè)施中。
FDP31N10,
FQP30N06L,
IRFZ44N,
BST79N10LS-13E