FQA12N60是一款由Fairchild(現(xiàn)已被ON Semiconductor收購)生�(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,適用于各種高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用�(lǐng)��
這款MOSFET在設計上�(yōu)化了其開�(guān)性能和熱�(wěn)定�,確保在高功率密度的應用場景下能夠提供高效且可靠的運��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻(典型值)�3.5Ω
柵極電荷(典型值)�48nC
輸入電容�1280pF
總功耗:27W
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQA12N60的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(600V),適合高壓�(huán)境下的應��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�3.5Ω�,從而減少傳導損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)速度,具備較低的柵極電荷和輸出電�,有助于降低開關(guān)損耗�
4. 緊湊型TO-220封裝,便于散熱管理和PCB布局�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
6. �(yōu)異的雪崩能力和抗雷擊能力,提高了系統(tǒng)的可靠性�
7. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃到+150℃),適應多種惡劣工��
FQA12N60廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 工業(yè)逆變器和變頻器中的關(guān)鍵組件�
5. 太陽能逆變器及風能�(fā)電系�(tǒng)中的功率管理�
6. 電池充電器和LED�(qū)動電源中的高效開�(guān)器件�
7. 各種需要高性能MOSFET的電子設備中�
IRFP460, STP12NK60Z, FDP12N60