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FQB10N20C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 8:59:33 查看 閱讀�31

FQB10N20C 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),屬于 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的 FQ 系列。該器件采用 TO-252 封裝,適用于各種開關(guān)和功率管理應(yīng)用。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效�,同�(shí)保持良好的開�(guān)性能�
  這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 200V,連續(xù)漏極電流高達(dá) 10A,非常適合用于電源開�(guān)、電�(jī)�(qū)動器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載切換等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  脈沖漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252

特�

FQB10N20C 提供了以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:額定 200V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �(shí),Rds(on) 僅為 1.4Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力:具有較低的輸入電容和輸出電�,從而減少開�(guān)�(shí)間及相關(guān)的能量損��
  4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定性:能夠� -55� � +150� 的寬溫度范圍�(nèi)可靠工作�
  5. 小型化封裝:TO-252 封裝使其適合于空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子制造的要求�

�(yīng)�

FQB10N20C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流器使用�
  3. 電機(jī)控制電路中的�(qū)動器和保�(hù)元件�
  4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與管理�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
  7. 家用電器和消�(fèi)電子�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號

FQP10N20C, IRFZ44N, STP10NK50Z

fqb10n20c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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