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FQB13N10L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:04:51 查看 閱讀�24

FQB13N10L 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� DPAK 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電力電子�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場��
  該器件通過�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�,同�(shí)保持較低的功�。此�,它具備良好的熱性能和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

型號:FQB13N10L
  VDS(漏源極擊穿電壓):100V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�200mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):13A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  PD(總功耗)�46W
  fSW(最大工作開�(guān)頻率):500kHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:DPAK(TO-252�

特�

FQB13N10L 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可有效降低�(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 500kHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)��
  3. 較高的漏源極擊穿電壓�100V),確保在較高電壓環(huán)境下安全�(yùn)��
  4. �(wěn)定的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫(最高可�(dá) 175°C��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間,同�(shí)提供出色的散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

FQB13N10L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級控制元��
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號切換和功率控制�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率管理模塊�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高性能功率 MOSFET 的場��

替代型號

FQP13N10, IRF540N, STP13NK06Z

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