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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQB1P50TM

FQB1P50TM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 11:06:34 查看 閱讀�20

FQB1P50TM是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的電流處理能力,廣泛適用于各種電源管理�(yīng)�。它特別適合于需要高效能和高可靠性的�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�3.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�47mΩ
  柵極電荷�6nC
  輸入電容�350pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)降低了功率損�,提高了整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能使得該MOSFET在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  3. 具有較高的雪崩擊穿能�,提升了器件的耐用性和可靠性�
  4. 封裝形式緊湊,有助于�(jiǎn)化PCB布局并減少空間占��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保其在寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
  5. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制應(yīng)��
  6. 電信�(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

FQP50N06L, IRF540N, AO3400

fqb1p50tm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fqb1p50tm資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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fqb1p50tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 歐姆 @ 750mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FQB1P50TM-NDFQB1P50TMTR