FQB1P50TM是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的電流處理能力,廣泛適用于各種電源管理�(yīng)�。它特別適合于需要高效能和高可靠性的�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)��
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�47mΩ
柵極電荷�6nC
輸入電容�350pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)降低了功率損�,提高了整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能使得該MOSFET在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. 具有較高的雪崩擊穿能�,提升了器件的耐用性和可靠性�
4. 封裝形式緊湊,有助于�(jiǎn)化PCB布局并減少空間占��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保其在寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
5. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制應(yīng)��
6. 電信�(shè)備中的功率管理模��
FQP50N06L, IRF540N, AO3400