FQB2N30是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)和放大應(yīng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力。該器件適用于多種電源管理場�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)��
FQB2N30采用TO-220封裝形式,這種封裝有助于提高散熱性能,使其能夠在高功率環(huán)境下�(wěn)定工作�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:0.05Ω
總功耗:125W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 較高的漏極電流承載能�,確保在高負載條件下�(wěn)定運��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
4. 高雪崩能量承受能�,增強了器件的可靠性�
5. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,適�(yīng)大功率應(yīng)用場��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 負載開關(guān)和保護電��
5. 各類工業(yè)控制及汽車電子中的功率管理模��
IRFZ44N
STP14NF06
AO3400