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FQB5N30 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 20:41:37 查看 閱讀�14

FQB5N30是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)等場�。它具有低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓能力的特�,適用于多種電子電路�(shè)計�

參數(shù)

型號:FQB5N30
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�6.5mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):41A
  Vgs(th)(閾值電壓)�2.8V
  Ptot(總功率耗散):218W
  封裝形式:TO-220FP

特�

FQB5N30具有非常低的�(dǎo)通電阻Rds(on),這使得其在大電流�(yīng)用中能夠減少功率損耗并提高效率。同�,它的快速開�(guān)性能使其非常適合高頻開關(guān)電路。該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和耐浪涌能�,能夠在苛刻的工作條件下保持可靠運行�
  此外,F(xiàn)QB5N30支持低至2.8V的閾值電�,因此與低壓邏輯電路兼容,便于在電池供電或低電壓系統(tǒng)中使�。其TO-220FP封裝提供�(yōu)秀的散熱性能,有助于進一步提升工作穩(wěn)定��

�(yīng)�

FQB5N30常用于直�-直流�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動電�、負(fù)載開�(guān)以及保護電路等領(lǐng)域。在這些�(yīng)用中,其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力是�(guān)鍵優(yōu)�。例如,在開�(guān)電源�,它可以作為主開�(guān)元件來實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�;在電機�(qū)動方面,它能夠承受較大的啟動電流沖擊,并確保平穩(wěn)運行�

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06
  FQP50N06L

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