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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQB5N50C

FQB5N50C 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:04:50 查看 閱讀�26

FQB5N50C 是一� N 灃道通態(tài)晶體管(N-Channel MOSFET�,屬于功率半導體器件,適用于多種開關和功率轉(zhuǎn)換應用。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有較高的電壓耐受能力和較低的導通電阻特��
  它廣泛用于工�(yè)、消費類電子以及汽車領域中的電源管理電路�,例如開關電源、逆變�、電機驅(qū)動等�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�5.7A
  柵極閾值電壓:4V~6V
  導通電阻(Rds(on)):1.8Ω(典型�,當 Vgs=10V 時)
  總功耗:105W
  �(jié)溫范圍:-55℃~150�

特�

FQB5N50C 具有高電壓耐受能力,能夠承受高� 500V 的漏源電壓,這使得它非常適合于高壓環(huán)境下的應�。同�,其低導通電阻可以減少功率損耗,提高效率�
  此外,該器件還具備快速開關速度,有助于降低開關損耗,并且在高溫條件下依然保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  FQB5N50C 使用 TO-220 封裝,這種封裝形式不僅易于安裝,而且具有良好的散熱性能,進一步增強了器件的可靠性�

應用

FQB5N50C 廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  3. 逆變�
  4. 電機�(qū)�
  5. 電磁閥控�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  由于其出色的電氣特性和可靠�,這款 MOSFET 成為許多工程師設計高性能功率電路的理想選擇�

替代型號

IRF540N
  STP55NF06
  BUZ11

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  • �(chǎn)品型�
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