FQB5N60是一款N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)生�(chǎn)。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。FQB5N60采用TO-220封裝,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合中高電壓應(yīng)用環(huán)��
作為一款垂直結(jié)�(gòu)的MOSFET,F(xiàn)QB5N60通過其柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流�,廣泛應(yīng)用于需要高性能功率管理的場合�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.8A
柵極閾值電壓:3V~5V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(在Vgs=10V時)
總功耗:135W
工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�
封裝形式:TO-220
FQB5N60的主要特性包括以下幾點:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓達(dá)600V,適用于高壓�(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為3.5Ω(在Vgs=10V條件下),有助于降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能:具備較短的開關(guān)時間,可減少開關(guān)損��
4. �(wěn)定性強(qiáng):能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
5. 小型化設(shè)計:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于安裝和散熱管理�
這些特性使得FQB5N60成為各種電力電子�(shè)備中的理想選�,尤其在需要高效能和高可靠性的場景下表�(xiàn)�(yōu)��
FQB5N60適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于功率�(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)輸出電壓�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:實�(xiàn)直流電壓的升降變換�
3. 電機(jī)�(qū)動:控制電機(jī)的速度和方��
4. �(fù)載開�(guān):保�(hù)電路免受過流或短路的影響�
5. 電池充電器:管理充電過程以優(yōu)化電池壽命�
由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特�,F(xiàn)QB5N60特別適合需要高效率和可靠性的電力系統(tǒng)�(shè)��
FQP5N60S, IRF540N, STP5NK60Z