FQB5N90TM是英飛凌(Infineon)推出的N溝道增強型MOSFET,采用TO-263-2封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用中�
其額定電壓為900V,能夠滿足高壓應(yīng)用需�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�1.18A
導通電阻(典型值)�4.5Ω
柵極電荷�12nC
開關(guān)時間:ton=75ns,toff=55ns
FQB5N90TM采用了CoolMOS技�(shù),有效降低了導通損耗和開關(guān)損��
其具備較高的雪崩擊穿能力和較低的反向恢復電荷,從而提高了系統(tǒng)效率和穩(wěn)定��
此外,該器件還具有出色的熱性能,便于散熱設(shè)�,適用于工業(yè)及消費類電子�(lǐng)��
開關(guān)電源(SMPS�
DC-DC�(zhuǎn)換器
電機�(qū)動與控制
逆變�
家電�(chǎn)品中的高壓切換電�
SLH9N90C是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封�。它具有900V的額定漏源電壓以�1.2A的連續(xù)漏極電流能力,適用于多種高壓功率�(zhuǎn)換場��
此器件優(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平衡,可減少能量損失并提高整體效率�
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�1.2A
導通電阻(典型值)�3.5Ω
柵極電荷�12.5nC
開關(guān)時間:ton=70ns,toff=50ns
SLH9N90C采用了MDmesh技�(shù),顯著改善了單位面積上的導通電阻和總柵極電��
該器件支持快速開�(guān)操作,并且在硬開�(guān)條件下表�(xiàn)出色�
其具備低反向恢復電荷的體二極�,有助于降低電磁干擾和開�(guān)噪聲�
此外,它的高溫性能�(yōu)�,工作結(jié)溫范圍可�-55°C�+175°C�
開關(guān)模式電源(SMPS�
工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率�
照明�(shè)�
家用電器中的高壓電路
電池充電�
SLW9N90C同樣是STMicroelectronics的產(chǎn)品線中的一�,屬于N溝道功率MOSFET系列,采用TO-220封裝形式。這款器件也具�900V的額定耐壓值和1.2A的最大連續(xù)漏極電流,主要面向高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
相比SLH9N90C,SLW9N90C更適合需要更大散熱空間的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�1.2A
導通電阻(典型值)�3.5Ω
柵極電荷�12.5nC
開關(guān)時間:ton=70ns,toff=50ns
延續(xù)了ST的MDmesh技�(shù)�(yōu)�,提供了更低的導通損耗和更優(yōu)的熱性能�
其大尺寸封裝�(shè)計增強了散熱能力,適合更高功率密度的需��工業(yè)電機�(qū)�
開關(guān)電源(SMPS�
太陽能逆變�
電動工具
汽車電子