FQB65N06是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用TO-252封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等場�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合高效能的應(yīng)用需��
這款MOSFET的主要特�(diǎn)是其額定電壓�60V,能夠承受較大的漏極電流,并且在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.045Ω
柵極電荷�9nC
輸入電容�530pF
總功耗:37W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
FQB65N06具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于需要快速開�(guān)和低損耗的電路。它的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流下保持較低的功率損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 小型TO-252封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
5. 高雪崩耐量,增�(qiáng)器件的魯棒��
FQB65N06適用于多種電子電�,包括但不限于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級控制�
3. �(fù)載開�(guān)和電源管理模��
4. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
5. 電池保護(hù)和充電管理系�(tǒng)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制部��
FQP50N06L, IRLZ44N, FDMC8820