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FQB7N20 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 13:48:19 查看 閱讀�22

FQB7N20是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合在各種電力電子�(shè)備中使用,例如電源適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  其主要特�(diǎn)包括高電流處理能力、低柵極電荷和出色的熱性能。通過�(yōu)化設(shè)�(jì),F(xiàn)QB7N20能夠在保持高效運(yùn)行的同時(shí)減少能量損�,從而提升系�(tǒng)的整體性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�7A
  �(dǎo)通電阻:0.35Ω
  柵源開啟電壓�2.1V
  總柵極電荷:15nC
  輸入電容�480pF
  功耗:6.3W
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

FQB7N20具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)200V的最大漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)�(jì)�
  2. 低導(dǎo)通電阻:0.35Ω的導(dǎo)通電阻可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高效��
  3. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷和輸入電容使其具備快速的開關(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用�
  4. 小型封裝:TO-252封裝節(jié)省了PCB空間,同�(shí)提供了良好的散熱性能�
  5. 寬工作溫度范圍:�-55℃到150℃的工作溫度范圍確保了器件在極端條件下的可靠��

�(yīng)�

FQB7N20廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源:如AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路�
  3. �(fù)載開�(guān):在電池供電�(shè)備中作為高效的負(fù)載控制元件�
  4. 保護(hù)電路:過流保�(hù)和短路保�(hù)等功能模塊中的關(guān)鍵組��
  5. 照明系統(tǒng):LED�(qū)�(dòng)器和其他照明�(yīng)用中的功率調(diào)節(jié)單元�

替代型號(hào)

FQD7N20, IRFZ44N, STP7NK60Z

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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