FQB8N60是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等功率電子�(shè)備中。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提高系�(tǒng)效率并降低功��
FQB8N60采用TO-220封裝形式,適用于大電流和高電壓場景下的開�(guān)及調(diào)節(jié)�(yīng)用�
型號:FQB8N60
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-220
最大漏源電�(VDS)�600V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大漏極電�(ID)�8A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�1.4Ω
總功�(PD)�115W
工作溫度范圍(TJ)�-55� to +150�
FQB8N60具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電�(600V),適合高壓應(yīng)用場景;
2. 極低的導(dǎo)通電�(1.4Ω),有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作;
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),可在寬溫范圍內(nèi)可靠工作(-55℃至+150�)�
5. 良好的電氣隔離性能,確保電路安全運(yùn)行;
6. TO-220封裝易于散熱�(shè)�(jì),適用于功率密集型應(yīng)用�
FQB8N60主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
3. 逆變器和�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換;
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
6. LED�(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)�
其高壓和大電流特性使其成為多種功率電子設(shè)備的理想選擇�
FQP8N60
IRF820
STP8NB60Z