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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQB8N60C

FQB8N60C 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 14:34:24 查看 閱讀�25

FQB8N60C是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負載切換等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  柵極閾值電壓:4V~6V
  �(dǎo)通電阻:1.7Ω(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

FQB8N60C是一種高壓MOSFET,具備以下特點:
  1. 高耐壓能力,適�600V以上的應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損��
  3. 快速開�(guān)特�,適用于高頻開關(guān)電路�
  4. 采用小型化表面貼裝TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
  5. 具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合高溫環(huán)境下的長期運��
  6. �(nèi)置雪崩保護功�,提高器件在過載條件下的耐用��

�(yīng)�

FQB8N60C常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. 直流電機�(qū)動和控制電路�
  3. 負載切換和保護電��
  4. 逆變器和UPS系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理部分�
  6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和電機控制�
  其高電壓和大電流處理能力使其成為許多中高功率�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

FQP8N60C, IRF840, STP8NB60

fqb8n60c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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