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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FQB8P10

FQB8P10 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 19:02:36 查看 閱讀�34

FQB8P10是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合應用于直流-直流轉換�、負載開�、電機驅動器以及其他需要高效功率切換的場景��
  由于其出色的性能,FQB8P10在便攜式設備、計算機外設及消費類電子產品等領域得到了廣泛應用�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�10A
  導通電阻(典型值)�13mΩ
  柵極電荷(典型值)�4nC
  總電容(輸入電容):320pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 低導通電阻設計有助于降低功耗并提升效率�
  2. 快速開關特性減少了開關損��
  3. 具備較高的雪崩擊穿能量能�,增強了器件的可靠��
  4. 小巧的TO-252封裝形式能夠節(jié)省PCB空間�
  5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
  6. 內置ESD保護電路以提高抗靜電能力�

應用

1. 開關電源中的功率開關元件�
  2. 各種降壓或升壓DC-DC轉換器�
  3. 電池供電設備中的負載開關控制�
  4. 消費類電子產品的電源管理模塊�
  5. 工業(yè)自動化領域的小型電機驅動�
  6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅動電��

替代型號

FQD8N10, FDS6670A, IRLZ44N

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