時間：2025/4/29 17:53:43
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FQB9N25C 是一款 N 溝道功率 MOSFET，屬于 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）的 FQ 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種電源管理應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。它采用 TO-220 封裝形式，便于散熱和安裝。
該 MOSFET 的額定電壓為 250V，能夠承受較高的反向電壓，同時其最大導(dǎo)通電阻較低，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。FQB9N25C 的柵極驅(qū)動電壓范圍較寬，可兼容傳統(tǒng)的 TTL 和 CMOS 邏輯電平，使其在各種電路設(shè)計中具有良好的適用性。
最大漏源電壓：250V
連續(xù)漏極電流：9A
導(dǎo)通電阻：1.4Ω
柵極電荷：17nC
總電容：380pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-220
FQB9N25C 具有以下顯著特點：
1. 高耐壓能力：額定漏源電壓為 250V，適合需要較高電壓耐受的應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：典型值為 1.4Ω，在大電流條件下能有效減少功耗。
3. 快速開關(guān)性能：低柵極電荷（17nC）和總電容（380pF），有助于實現(xiàn)高效的高頻開關(guān)操作。
4. 寬驅(qū)動電壓范圍：支持低至 10V 的柵極驅(qū)動電壓，兼容多種控制信號。
5. 高可靠性：通過了嚴(yán)格的測試和認(rèn)證流程，確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
6. 散熱性能優(yōu)越：TO-220 封裝提供良好的熱傳導(dǎo)路徑，適合功率應(yīng)用。
FQB9N25C 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：作為主開關(guān)管或同步整流管使用。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于降壓、升壓或升降壓轉(zhuǎn)換電路。
3. 電機驅(qū)動：控制直流電機或步進電機的啟停與速度調(diào)節(jié)。
4. 負(fù)載開關(guān)：保護下游電路免受過流或短路的影響。
5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）：用于電池充放電路徑的切換與保護。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備：如繼電器驅(qū)動、電磁閥控制等。
FQP50N06L, IRF540N, STP9NK50Z
