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FQB9N25C 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 17:53:43 查看 閱讀:29

FQB9N25C 是一款 N 溝道功率 MOSFET,屬于 Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)的 FQ 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適用于多種電源管理應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。它采用 TO-220 封裝形式,便于散熱和安裝。
  該 MOSFET 的額定電壓為 250V,能夠承受較高的反向電壓,同時其最大導(dǎo)通電阻較低,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。FQB9N25C 的柵極驅(qū)動電壓范圍較寬,可兼容傳統(tǒng)的 TTL 和 CMOS 邏輯電平,使其在各種電路設(shè)計中具有良好的適用性。

參數(shù)

最大漏源電壓:250V
  連續(xù)漏極電流:9A
  導(dǎo)通電阻:1.4Ω
  柵極電荷:17nC
  總電容:380pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-220

特性

FQB9N25C 具有以下顯著特點:
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為 250V,適合需要較高電壓耐受的應(yīng)用場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 1.4Ω,在大電流條件下能有效減少功耗。
  3. 快速開關(guān)性能:低柵極電荷(17nC)和總電容(380pF),有助于實現(xiàn)高效的高頻開關(guān)操作。
  4. 寬驅(qū)動電壓范圍:支持低至 10V 的柵極驅(qū)動電壓,兼容多種控制信號。
  5. 高可靠性:通過了嚴(yán)格的測試和認(rèn)證流程,確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  6. 散熱性能優(yōu)越:TO-220 封裝提供良好的熱傳導(dǎo)路徑,適合功率應(yīng)用。

應(yīng)用

FQB9N25C 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開關(guān)管或同步整流管使用。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于降壓、升壓或升降壓轉(zhuǎn)換電路。
  3. 電機驅(qū)動:控制直流電機或步進電機的啟停與速度調(diào)節(jié)。
  4. 負(fù)載開關(guān):保護下游電路免受過流或短路的影響。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電路徑的切換與保護。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備:如繼電器驅(qū)動、電磁閥控制等。

替代型號

FQP50N06L, IRF540N, STP9NK50Z

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