時間：2025/5/23 11:00:08
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FQB9N50是一種高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），通常用于開關電源、電機驅動和逆變器等應用。該器件具有高電壓耐受能力，低導通電阻以及快速開關速度等特點，能夠有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
該器件采用N溝道增強型技術，其額定電壓為900V，能夠在高頻和高壓條件下穩(wěn)定工作。此外，它還具備良好的熱性能和抗雪崩能力，適合各種嚴苛的工作環(huán)境。
額定電壓：900V
額定電流：0.62A
導通電阻：1800mΩ
柵極電荷：18nC
最大功耗：1.4W
結溫范圍：-55℃至175℃
FQB9N50具有以下主要特性：
1. 高電壓耐受能力，額定電壓達到900V，適用于高壓應用場景。
2. 低導通電阻設計，在額定電流下導通電阻僅為1800mΩ，有助于減少功率損耗。
3. 快速開關速度，柵極電荷小至18nC，可實現高效開關操作。
4. 良好的熱性能和穩(wěn)定性，支持高達175℃的結溫范圍，適應惡劣環(huán)境。
5. 強大的抗雪崩能力，能夠在短路或過載情況下提供額外保護。
6. 小巧封裝設計，便于PCB布局和安裝。
FQB9N50廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的主開關元件。
2. 電機驅動電路，用于控制直流電機的速度和方向。
3. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊。
4. LED驅動器中作為開關元件以調節(jié)輸出電流。
5. 各種工業(yè)自動化設備中的高壓開關組件。
6. 電磁閥和其他負載的驅動控制。
FQD9N50
FQA9N50
