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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQD14N15

FQD14N15 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:25:00 查看 閱讀�31

FQD14N15是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于廣泛的開關和功率管理應用。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,使其成為高效能設計的理想選�。它通常用于直流-直流轉換器、負載開�、電機控制以及電源管理等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�14A
  導通電阻:270mΩ
  柵極電荷�39nC
  總功耗:18W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQD14N15具有以下關鍵特性:
  1. 高雪崩能力,增強了在過載或短路條件下的可靠��
  2. 超低的導通電�,在高電流條件下能夠有效減少功率損耗�
  3. 快速開關性能,適合高頻應�,降低開關損��
  4. 小型封裝選項,便于在空間受限的設計中使用�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在較寬的溫度范圍內可靠運��

應用

該MOSFET廣泛應用于多種領域,包括但不限于以下場景�
  1. 開關電源中的同步整流和降�/升壓轉換�
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換和保護電��
  3. 電機驅動器中的逆變器和斬波器控制�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電磁閥和繼電器驅��
  5. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離和功率放大�
  6. 各類消費電子�(chǎn)品中的電源管理和充電控制電路�

替代型號

IRFZ44N
  FQP14N15
  STP14NF15

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