FQD14N15是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于廣泛的開關和功率管理應用。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,使其成為高效能設計的理想選�。它通常用于直流-直流轉換器、負載開�、電機控制以及電源管理等場景�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�14A
導通電阻:270mΩ
柵極電荷�39nC
總功耗:18W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQD14N15具有以下關鍵特性:
1. 高雪崩能力,增強了在過載或短路條件下的可靠��
2. 超低的導通電�,在高電流條件下能夠有效減少功率損耗�
3. 快速開關性能,適合高頻應�,降低開關損��
4. 小型封裝選項,便于在空間受限的設計中使用�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在較寬的溫度范圍內可靠運��
該MOSFET廣泛應用于多種領域,包括但不限于以下場景�
1. 開關電源中的同步整流和降�/升壓轉換�
2. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換和保護電��
3. 電機驅動器中的逆變器和斬波器控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電磁閥和繼電器驅��
5. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離和功率放大�
6. 各類消費電子�(chǎn)品中的電源管理和充電控制電路�
IRFZ44N
FQP14N15
STP14NF15