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FQD18N20V2 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 18:38:12 查看 閱讀:27

FQD18N20V2 是一款 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于需要高頻開關(guān)性能的電路設(shè)計(jì)。
  這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 200V,持續(xù)漏極電流可達(dá) 18A(在 25°C 環(huán)境溫度下)。其出色的開關(guān)特性使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PWM 控制電路以及其他功率管理場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:18A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.24Ω(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
  輸入電容:1360pF
  總功耗:140W(基于環(huán)境溫度 25°C 和指定封裝散熱條件)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +150°C

特性

FQD18N20V2 具有以下主要特性:
  1. 高電壓耐受能力,支持高達(dá) 200V 的漏源電壓。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)速度,能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用場合。
  4. 內(nèi)置保護(hù)功能(如雪崩能量吸收能力),增強(qiáng)器件在異常情況下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
  6. TO-220 封裝易于安裝,并具備良好的散熱性能。

應(yīng)用

FQD18N20V2 在多種電力電子設(shè)備中有廣泛應(yīng)用,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級組件。
  3. 太陽能逆變器及不間斷電源(UPS)的核心功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
  6. 電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)電路。

替代型號

IRFZ44N, STP18NF06, FQP18N20C

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