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FQD18N20V2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:38:12 查看 閱讀�27

FQD18N20V2 是一� N 溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于需要高頻開�(guān)性能的電路設(shè)�(jì)�
  這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 200V,持�(xù)漏極電流可達(dá) 18A(在 25°C �(huán)境溫度下�。其出色的開�(guān)特性使其非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、PWM 控制電路以及其他功率管理場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.24Ω(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
  輸入電容�1360pF
  總功耗:140W(基于環(huán)境溫� 25°C 和指定封裝散熱條件)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C

特�

FQD18N20V2 具有以下主要特性:
  1. 高電壓耐受能力,支持高�(dá) 200V 的漏源電��
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場合�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能(如雪崩能量吸收能力�,增�(qiáng)器件在異常情況下的可靠性�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. TO-220 封裝易于安裝,并具備良好的散熱性能�

�(yīng)�

FQD18N20V2 在多種電力電子設(shè)備中有廣泛應(yīng)�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級組��
  3. 太陽能逆變器及不間斷電源(UPS)的核心功率�(zhuǎn)換模��
  4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
  6. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng)電路�

替代型號

IRFZ44N, STP18NF06, FQP18N20C

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  • �(chǎn)品型�
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