時(shí)間：2025/4/28 18:38:12
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FQD18N20V2 是一款 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用 TO-220 封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于需要高頻開關(guān)性能的電路設(shè)計(jì)。
這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 200V，持續(xù)漏極電流可達(dá) 18A（在 25°C 環(huán)境溫度下）。其出色的開關(guān)特性使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PWM 控制電路以及其他功率管理場景。
最大漏源電壓：200V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：18A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.24Ω（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
輸入電容：1360pF
總功耗：140W（基于環(huán)境溫度 25°C 和指定封裝散熱條件）
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C
FQD18N20V2 具有以下主要特性：
1. 高電壓耐受能力，支持高達(dá) 200V 的漏源電壓。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用場合。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能（如雪崩能量吸收能力），增強(qiáng)器件在異常情況下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
6. TO-220 封裝易于安裝，并具備良好的散熱性能。
FQD18N20V2 在多種電力電子設(shè)備中有廣泛應(yīng)用，包括但不限于以下場景：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級組件。
3. 太陽能逆變器及不間斷電源（UPS）的核心功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
6. 電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)電路。
IRFZ44N, STP18NF06, FQP18N20C
