FQD18N20V2TM 是一� N 溝道功率場效應晶體管(MOSFET�,主要用于開關和功率�(zhuǎn)換應用。該器件具有低導通電阻和高切換速度的特�,適合于需要高效能和低損耗的電路設計。它通常被應用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模�、電機驅(qū)動以及負載開關等場景�
該型號屬于現(xiàn)� MOSFET 的一�,其封裝形式� TO-252 (DPAK),能夠有效散熱并適應多種安裝需��
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�0.14Ω
柵極電荷�36nC
總功耗:150W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
FQD18N20V2TM 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓,允許在高� 200V 的環(huán)境中運行,保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流下保持較低的功�,從而提高整體效��
3. 快速開關性能,減少開關過程中的能量損失,非常適合高頻操作�(huán)��
4. 熱穩(wěn)定性好,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持可靠的性能表現(xiàn)�
5. 小型化的 DPAK 封裝使其易于集成到緊湊型設計�,同時具備良好的散熱能力�
這款 MOSFET 主要適用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)及 AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 各類電機控制應用,例如無刷直流電機驅(qū)動�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
4. 通信基礎設施中的高效能電源管理模��
5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關�(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
FQP18N20, IRFZ44N, FDMF8818