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FQD18N20V2TM 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 9:04:47 查看 閱讀�33

FQD18N20V2TM 是一� N 溝道功率場效應晶體管(MOSFET�,主要用于開關和功率�(zhuǎn)換應用。該器件具有低導通電阻和高切換速度的特�,適合于需要高效能和低損耗的電路設計。它通常被應用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模�、電機驅(qū)動以及負載開關等場景�
  該型號屬于現(xiàn)� MOSFET 的一�,其封裝形式� TO-252 (DPAK),能夠有效散熱并適應多種安裝需��

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻(典型值)�0.14Ω
  柵極電荷�36nC
  總功耗:150W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

FQD18N20V2TM 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓,允許在高� 200V 的環(huán)境中運行,保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全��
  2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流下保持較低的功�,從而提高整體效��
  3. 快速開關性能,減少開關過程中的能量損失,非常適合高頻操作�(huán)��
  4. 熱穩(wěn)定性好,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持可靠的性能表現(xiàn)�
  5. 小型化的 DPAK 封裝使其易于集成到緊湊型設計�,同時具備良好的散熱能力�

應用

這款 MOSFET 主要適用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)及 AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 各類電機控制應用,例如無刷直流電機驅(qū)動�
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  4. 通信基礎設施中的高效能電源管理模��
  5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關�(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�

替代型號

FQP18N20, IRFZ44N, FDMF8818

fqd18n20v2tm推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqd18n20v2tm資料 更多>

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fqd18n20v2tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1080pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQD18N20V2TM-NDFQD18N20V2TMTR