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FQD1N50 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 12:13:35 查看 閱讀�40

FQD1N50是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于開關(guān)和功率控制應(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,能夠滿足多種工業(yè)和消費類電子�(shè)備的需��
  其封裝形式通常為TO-220,適合高電流和高電壓�(yīng)用場景,廣泛用于電源開關(guān)、電機驅(qū)�、負載切換等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�1A
  �(dǎo)通電阻:4.2Ω
  柵極電荷�15nC
  總耗散功率�75W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

FQD1N50具備以下特點�
  1. 高電壓承受能�,額定漏源電壓達500V�
  2. 較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損��
  3. 快速開�(guān)性能,可提高系統(tǒng)效率�
  4. 強大的雪崩擊穿能力和魯棒�,確保在異常條件下穩(wěn)定運行�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
  6. TO-220封裝提供良好的散熱性能,適合功率應(yīng)��

�(yīng)�

FQD1N50主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率控制�
  4. 各種負載切換�(yīng)��
  5. 過流保護電路中的�(guān)鍵組件�
  6. 逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率級元��

替代型號

IRF540N
  STP16NF06
  FQP17N10

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