FQD1N50是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于開關(guān)和功率控制應(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能力,能夠滿足多種工業(yè)和消費類電子�(shè)備的需��
其封裝形式通常為TO-220,適合高電流和高電壓�(yīng)用場景,廣泛用于電源開關(guān)、電機驅(qū)�、負載切換等�(lǐng)��
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�1A
�(dǎo)通電阻:4.2Ω
柵極電荷�15nC
總耗散功率�75W
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
FQD1N50具備以下特點�
1. 高電壓承受能�,額定漏源電壓達500V�
2. 較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能,可提高系統(tǒng)效率�
4. 強大的雪崩擊穿能力和魯棒�,確保在異常條件下穩(wěn)定運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
6. TO-220封裝提供良好的散熱性能,適合功率應(yīng)��
FQD1N50主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制�
4. 各種負載切換�(yīng)��
5. 過流保護電路中的�(guān)鍵組件�
6. 逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率級元��
IRF540N
STP16NF06
FQP17N10