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FQD1N60C 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 14:51:40 查看 閱讀:32

FQD1N60C是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其耐壓能力高達(dá)600V,適合高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。FQD1N60C通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和其他需要高效功率控制的場合。
  這款MOSFET采用了TO-252封裝形式,具有良好的散熱性能,能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)需求。同時(shí),由于其出色的電氣特性,能夠在高頻條件下實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:3.9A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.8Ω(典型值,@ Vgs=10V)
  總功耗:1.3W
  結(jié)溫范圍:-55°C至+150°C

特性

1. 高擊穿電壓:600V,適合高壓應(yīng)用場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V時(shí)為4.8Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)速度:優(yōu)化了開關(guān)性能,減少開關(guān)損耗。
  4. 小型封裝:采用TO-252封裝,節(jié)省PCB空間。
  5. 高可靠性:經(jīng)過嚴(yán)格測試,確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持從-55°C到+150°C的結(jié)溫范圍,適應(yīng)多種工作條件。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的電子開關(guān)。
  3. 逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵元件。
  4. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  5. LED照明驅(qū)動中的功率控制。
  6. 其他需要高性能功率管理的電子設(shè)備中。

替代型號

IRF640N, FQP17N60, STP12NF60

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