時(shí)間：2025/4/30 14:51:40
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FQD1N60C是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其耐壓能力高達(dá)600V，適合高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。FQD1N60C通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和其他需要高效功率控制的場合。
這款MOSFET采用了TO-252封裝形式，具有良好的散熱性能，能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)需求。同時(shí)，由于其出色的電氣特性，能夠在高頻條件下實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
最大漏源電壓：600V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：3.9A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.8Ω（典型值，@ Vgs=10V）
總功耗：1.3W
結(jié)溫范圍：-55°C至+150°C
1. 高擊穿電壓：600V，適合高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：在Vgs=10V時(shí)為4.8Ω，有助于降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度：優(yōu)化了開關(guān)性能，減少開關(guān)損耗。
4. 小型封裝：采用TO-252封裝，節(jié)省PCB空間。
5. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格測試，確保在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。
6. 廣泛的工作溫度范圍：支持從-55°C到+150°C的結(jié)溫范圍，適應(yīng)多種工作條件。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的電子開關(guān)。
3. 逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵元件。
4. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. LED照明驅(qū)動中的功率控制。
6. 其他需要高性能功率管理的電子設(shè)備中。
IRF640N, FQP17N60, STP12NF60
