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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQD2N100

FQD2N100 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:37:40 查看 閱讀�25

FQD2N100 是一� N 灃道半導(dǎo)體公司生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TO-247 封裝,適用于高電壓和高電流的�(yīng)用場(chǎng)�。其主要用途是在電力電子設(shè)備中作為�(kāi)�(guān)或放大器元件。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠滿足工�(yè)、汽�(chē)以及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的多種需��
  FQD2N100 的設(shè)�(jì)使得它在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:1000V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:8A
  �(dǎo)通電阻:1.8Ω
  功耗:150W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

FQD2N100 具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓(1000V�,使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(1.8Ω�,從而減少功率損耗并提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,確保在高頻條件下性能�(yōu)��
  4. �(wěn)定的�(dòng)�(tài)特�,即使在極端溫度范圍�(nèi)也能保持可靠�(yùn)��
  5. 良好的抗雪崩能力,可以承受短暫的�(guò)載情況�
  6. TO-247 封裝形式,提供優(yōu)秀的散熱性能�

�(yīng)�

FQD2N100 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(guān)鍵元��
  3. 工業(yè)控制�(shè)備中的高壓開(kāi)�(guān)�
  4. 新能源系�(tǒng)如太�(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
  6. 各種需要高壓大電流處理能力的場(chǎng)合�

替代型號(hào)

IRFP460, STGW10N60DF2, FDP12N100

fqd2n100推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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